层次： 主存储器，辅存储器，Cache。 存取方式： 随机存储器RAM（允许随机存储），只读存储器ROM（只能读，存放固定的程序） ，串行访问存储器（光盘，磁带）。
目标： 大容量，低成本，高速度 存储容量： 存储字数(地址空间大小) * 存储字长(存取一次的数据量)；1Byte = 8bit 单位成本： 总成本 / 总容量 存储速度： 数据传输率（主存带宽） = 数据宽度 / 存储周期（又称存取周期 = 存取时间+恢复时间，两次读写之间的最小值）
时刻牢记： 存储容量 = 存储字数(地址空间大小) * 存储字长(存取一次的数据量) 位扩展： 扩展MDR位的存储字长。 字扩展： 扩展MAR位的字长，将地址的最高位作为片选信号，利用译码器来转换出片选信号。2位地址可以控制4块芯片。 字位扩展： 同时扩展，扩展的时候是分开计算。
线选法： 一对一，每次只能有一个地址码有效。 译码法： 利用译码器转换信号，将4位二进制的地址转换成十进制的片的编号。
选择芯片： RAM（用户），ROM（系统程序，子程序，常数） 地址连接： 地位地址连接，高位地址片选。 数据连接： CPU和存储芯片的数据位要一致，否则需要扩展。 读/写： 高读低写。 片选开关： 片选不要接错了，否则选不到；访存控制信号MREQ（低电平有效，可进行读写；若访问I/O，则MREQ为高电平）。
同时有两个CPU共用一个双端口RAM，只要两个CPU不同时访问一个RAM存储单元即可，用BUSY信号来执行“原子操作”。
单体（设置一个存储单元）多字（一个单元里存放m个字，一个字存放一条指令）存储器可以在一个周期中直接读出单体里面的所有字，然后依次执行。
多个存储器可以并行工作，也可以交叉工作。 高位交叉编址（顺序方式）： 高位体号，地位体内地址。 低位交叉编址（交叉方式）： 低位体号，高位体内地址，流水线，每个里面各拿一个。 低位两公式： T = m / r；t = T + (m - 1)/r
只能读出，掉电不丢失。 MROM： 厂家生产写入不能改。 PROM： 用户写入不能改。 EPROM： 可读可写可擦除，但是不能替代RAM。（紫外线，电擦除） Flash Memory： 可擦除重写。 SSD： Flash芯片组成。
刷新问题： 刷新不依赖外部结构，且按行刷新，整个存储器同时都在刷新，不需要分片；集中刷新（统一刷一下，死区），分散刷新（平摊在每个存取周期内），异步刷新（一行刷一次）。 读周期： 读周期包含读出时间，读周期是两次读操作时间之差，时间知识一少部分。 写周期： Twc = Taw(滞后时间) + Tw(写入时间) + Twr(写恢复时间)。
1.局部性，CPU与Cache以字为单位，Cache与主存以块为单位。 2.命中率：命中/(没有命中的 + 命中的) 3.平均访问时间：命中访问时间 x 命中概率 + 未命中访问时间 x 未命中概率。
直接映射： 主存0，2，4，8装第0块；1，3，4，9装第二块。
主存字块标记Cache字块地址字块内地址全相连映射： 主存随便装。
主存字块标记字块内地址组相连映射： Cache分等块，组间直接，组内全相连。
主存字块标记组地址字块内地址
RAND： 随机替换。 FIFO： 最早进来的先替换掉。 LRU： 最近时间内没有访问过的替换。（堆栈）命中清0，其他+1，最高替换。 LFU： 最近时间内访问次数最少的替换。命中+1，其他不变，最小替换。
CPU往Cache里面写，找到了这个。 write-through： 同时写Cache和主存内的东西，往主存中写的时候可以加入一个写缓冲。 write-back： 当Cache需要换出来的时候再写回内存。
往里面写的时候发现不在Cache中。 write-allocate： 每次修改的时候，先调到Cache中，在Cache中修改，然后再调回去。 not-write-allocate： 直接再主存中改，不调入Cache。
逻辑地址，CPU直接和主存访问，有就用，没有就调入再用，满了就换；硬件软件同时实现。 页式虚拟存储： 物理划分，从页表基质寄存器中读取起始地址拼接虚页号地址，在页表中找出实业号，在和页内地址拼接得到地址。（访问一次主存，页内碎片） 段式虚拟存储： 逻辑结构划分，从页表基质寄存器中读取起始地址拼接段号，在段表查询真实地址，拼接段内地址。（一次主存，段间碎片） 段页式虚拟存储： 结合以上两者，根据段表找到页表的起始地址，然后再在对应的页表中找到对应页号，拼接页内地址形成真正地址。（两次访存，短间碎片） TLB： 将常用的页表项放在高速缓冲存储器的TLB中，提高效率，只是慢表的一个副本。 整体逻辑：
快捷方式 找地址 找地址 快捷方式 访问内容 访问内容 CPU TLB Page Cache 主存