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“恩智浦”智能车MOS双驱动

特性：

控制信号3.3V与5V兼容模块供电电压：5V-12V双路PWM调制，控制电机正反转，占空比0%~100%工作频率可达200KHz（建议频率范围10K-20KHz）MOSFET采用大功率耐电流冲击型，内阻约为3mΩ一整年使用验证，从未烧过开窗设计，电流主路100mil设计

含有芯片：

IRLR7843【MOS管】、HIP4082I【驱动芯片】、MC34063【升压芯片】、74LS244【隔离芯片】

1.1 双驱电路原理图

1.2 PCB-3D

电路相关文件

电路图文件  描述：MOS双驱动